SK 海力士开发出 12 层堆叠 HBM3 DRAM 芯片，已向客户提供样品_天天新动态

(相关资料图)

品玩 4 月 20 日讯，SK 海力士官网宣布，再次超越了现有最高性能 DRAM（内存）—— HBM31 的技术界限，全球首次实现垂直堆叠 12 个单品 DRAM 芯片，成功开发出最高容量 24GB 的 HBM3 DRAM 新产品，并正在接受客户公司的性能验证。